一种多晶硅片背面抛光工艺[发明专利]

来源：抵帆知识网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种多晶硅片背面抛光工艺专利类型：发明专利

发明人：苏世杰,李强强,张玉前,郭俊,张欢申请号：CN2017106678.9申请日：20170814公开号：CN1074924A公开日：20171219

摘要：本发明公开了一种多晶硅片背面抛光工艺，包括以下步骤：步骤S1、碱液抛光：对硅片背面使用强碱液进行浸泡；步骤S2、酸液抛光：将步骤S1中浸泡完成的硅片取出，对硅片背面使用弱酸液进行浸泡；步骤S3、碱液中和：将步骤S2中浸泡完成的硅片取出，使用弱碱液对硅片背面进行冲洗；步骤S4、加压冲洗：将步骤S3中的硅片取出，通过加压用纯水对硅片背面进行冲洗；步骤S5、干燥：使用风刀将步骤S4得到的硅片吹干。本发明在抛光工艺过程中所用时间更短、对硅片的损害更低以及硅片清洗效果更好的情况下，还可以有效的增强硅片背面抛光效果，提升硅片背面光吸收效率，进而有效提升硅片的短路电流以及硅片的转化效率。

申请人：通威太阳能(安徽)有限公司

地址：230088 安徽省合肥市高新区长宁大道与习友路交口西南角

国籍：CN

代理机构：昆明合众智信知识产权事务所

代理人：张玺

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