JFET的特性曲线及参数 - 电子技术

JFET的特性曲线及参数 - 电子技术

1. 输出特性曲线

恒流区：(又称饱和区或放大区）

特点: (1)受控性：输入电压vGS控制输出电流iD。

(2)恒流性：输出电流iD 基本不受输出电压vDS的影响。 用途: 可做放大器和恒流源 条件: (1)源端沟道未夹断

(2)漏端沟道予夹断

可变电阻区：

特点:（1）当vGS 为定值时, iD 是 vDS 的线性函数，管子的漏源间呈现为线性电阻，其阻值受 vGS 控制。 （2）管压降vDS 很小。

用途：做压控线性电阻和无触点的、接通状态的电子开关。

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条件：源端与漏端沟道都不夹断 夹断区： 特点：

用途：做无触点的、断开状态的电子开关。 条件：整个沟道都夹断 击穿区：

当漏源电压增大 时，漏端PN结发生雪崩击穿，使iD 剧增的区域。其值一般为（20~ 50）V之间。管子不能在击穿区工作。 2. 转移特性

输入电压VGS对输出漏极电流ID的控制

可在曲线上求gm ： 结型场效应管的特性小结

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3. 主要参数

① 夹断电压VP (或VGS(off))：漏极电流约为零时的VGS值 。 ② 饱和漏极电流IDSS：当VGS=0，VDS |VP|时对应的漏极电流。 ③ 低频跨导gm：低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。 或

④直流输入电阻RGS：在漏源间短路的情况下，栅源间加一定的反偏电压时的栅源直流电阻。在手册上又称栅源绝缘电阻。

⑤输出电阻rd： 反映了漏源电压对漏极电流的影响。 iD随vDS改变很小，所以rd的数值很大，在几十千欧到几百千欧之间。

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⑥ 最大漏源电压V(BR)DS ：栅漏间PN结发生雪崩击穿，iD开始急剧上升时的vDS值。

⑦ 最大栅源电压V(BR)GS ：栅源间PN结的反向电流开始急剧增加时的vGS值。

⑧ 最大耗散功耗PDM ：PDM＝vDSiD 金属－氧化物－半导体场效应管

金属－氧化物－半导体场效应管(Metal Oxide Semiconductor FET) ——MOSFET，又称绝缘栅场效应管，简称MOS管。 分为： 增强型 N沟道、P沟道 耗尽型 N沟道、P沟道

耗尽型: VGS=0时，存在导电沟道，

增强型: VGS=0时，存在导电沟道

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