专利名称：与时间相关电介质击穿的并行测试电路专利类型：发明专利发明人：高超
申请号：CN200910197809.7申请日：20091028公开号：CN101702005A公开日：20100505
摘要：本发明揭露了一种与时间相关电介质击穿(TDDB)的并行测试电路，包括：电源模块、多个MOS晶体管器件和多个电熔丝；其中所述多个晶体管器件的栅极端分别通过所述电熔丝连接于所述电源模块，且所述多个晶体管器件的源极、漏极及背栅极三端均接地。利用本发明提供的TDDB并行测试电路可以大大缩短晶体管器件的TDDB的检测时间，大大提高晶体管器件的检测效率，有效降低了生产成本。
申请人：上海宏力半导体制造有限公司
地址：201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：郑玮
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