VASP计算DOS和能带

个人总结一：VASP计算DOS和能带

1. 计算DOS

①POSCAR

②POTCAR

③KPOINTS（建议以Gamma为中心取点,通常K×a≈45即可）

④INCAR（越简洁越好）

第一步：结构优化

SYSTEM=**

ISTART=0

ENCUT=500(最好对其进行测试)

EDIFF=1E-5

EDIFFG=-0.01

NSW=100

ISIF=2

IBRION=2

【优化后计算DOS可以一步完成，也可以分为两步来完成，主要是计算量涉及到计算时间的差别】

第二步：静态自洽(此时可稍微降低K点数，用第一步优化得到的CONTCAR作为POSCAR进行计算)

SYSTEM=**

ISTART=0

PREC=Accurate

EDIFF=1E-5

EDIFFG=-0.01

ENCUT=500

ISMEAR=-5

LCHARG=.TRUE.

注意：此时得到的E-feimi是准确的，需要记下（grep ‘E-fermi’ OUTCAR）

第三步：非自洽计算（采用高密度K点）

SYSTEM=**

ISTART=1

ICHARG=11

LMAXMIX=2/4/6(VASP官网原话：If ICHARG is set to 11 or 12, it is strongly recommened to set LMAXMIX to twice the maximum l-quantum number in the pseudpotentials. Thus for s and p elements LMAXMIX should be set to 2, for

d

elements LMAXMIX should

be

set

to

4,

and

for

f

elements LMAXMIX should be set to 6)

PREC=Accurate

EDIFF=1E-5

EDIFFG=-0.01

ENCUT=500（截断能最好与上一步保持一致）

ISMEAR=-5

LORBIT=10/11(推荐11，可以得到能级的数据)

 优化后计算DOS一步完成：（采用高密度K点）

SYSTEM=**

ISTART=1

PREC=Accurate

EDIFF=1E-5

EDIFFG=-0.01

ENCUT=500

ISMEAR=-5

LORBIT=10/11

2. 计算能带

①POSCAR

②POTCAR

③KPOINTS:使用Line-mode格式，给出高对称性K点之间的分割点数，分割越密，路径积分就越准确。

K-POINTS along high symmetry lines !注释行

20 !每两个高对称性K点间插点数

Line-mode

Rec ！倒格矢坐标

0.00000 0.00000 0.00000 !Gamma

0.00000 0.50000 0.50000 !X

0.00000 0.50000 0.50000 !X

0.50000 0.50000 0.50000 !L

0.50000 0.50000 0.50000 !L

0.37500 0.75000 0.37500 !K

0.37500 0.75000 0.37500 !K

0.00000 0.00000 0.00000 !Gamma

④INCAR

SYSTEM=**

ISTART=1

ICHARG=11

PREC=Accurate

EDIFF=1E-5

EDIFFG=-0.01

ENCUT=500

ISMEAR=0

SIGMA=0.05

NBANDS=**

注意：

➢ 自洽计算得到的电荷密度文件CHGCAR是能带和DOS计算需要的输入文件；

➢ 非自洽计算时，若是计算能带，则ICHARG=11，金属用ISMEAR=1，半导体或绝缘体用ISMEAR=0；若是计算态密度，则ICHARG=11，ISMEAR=-5.