半导体装置[发明专利]

来源：抵帆知识网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：半导体装置专利类型：发明专利

发明人：末代知子,小仓常雄,押野雄一申请号：CN201310722167.4申请日：20131224公开号：CN104078493A公开日：20141001

摘要：实施方式的半导体装置包括第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第一导电型的第二半导体区域、第二导电型的第三半导体区域、第二导电型的第四半导体区域、第二电极以及第一中间金属膜。第一半导体区域设在第一电极之上，具有第一杂质浓度。第二半导体区域设在第一半导体区域之上，具有比第一杂质浓度高的第二杂质浓度。第三半导体区域及第四半导体区域设在第二半导体区域之上。第三半导体区域具有第三杂质浓度。第四半导体区域具有比第三杂质浓度低的第四杂质浓度。第二电极设在第三半导体区域及第四半导体区域之上，与第三半导体区域欧姆接触。第一中间金属膜设在第二电极与第四半导体区域之间，与第四半导体区域进行肖特基接合。

申请人：株式会社东芝

地址：日本东京都

国籍：JP

代理机构：永新专利商标代理有限公司

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