一种稳定提拉法晶体生长界面的控制装置和方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种稳定提拉法晶体生长界面的控制装置和方法专利类型：发明专利

发明人：何晔,周益民,岑伟,陈川贵申请号：CN201911116671.3申请日：20191115公开号：CN110685008A公开日：20200114

摘要：本发明属于晶体生长技术领域，为一种稳定提拉法晶体生长界面的控制装置和方法；方法包括实时测量晶体生长的重量，将测量的晶体重量与其理论重量作差，根据两者的差值采用PID控制算法控制晶体生长所需的加热功率；实时测量料棒的重量，并将测量得到的晶体重量与料棒重量之和作为整体重量，根据整体重量与其初始重量的差值，采用PID控制算法控制料棒下降速度；采用CCD旋转装置对CCD光学放大装置进行旋转，光学放大装置实时测量晶体基准线灰度值对应的位置与测量基准线中线的距离，根据该距离与其初始距离的差值采用PID控制算法控制晶体旋转速度；本发明能维持晶体生长界面的稳定，保证晶体外形符合设定尺寸要求。

申请人：中国电子科技集团公司第二十六研究所

地址：400060 重庆市南岸区南坪花园路14号

国籍：CN

代理机构：重庆辉腾律师事务所

代理人：王海军

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