基于低温多晶硅半导体薄膜晶体管的GOA电路[发明专利]

来源：抵帆知识网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：基于低温多晶硅半导体薄膜晶体管的GOA电路专利类型：发明专利发明人：肖军城

申请号：CN201410613637.8申请日：20141103公开号：CN1044660A公开日：20150325

摘要：本发明提供一种基于低温多晶硅半导体薄膜晶体管的GOA电路，包括级联的多个GOA单元；第N级GOA单元包括一上拉控制部分(100)、一上拉部分(200)、一第一下拉部分(400)、一下拉维持电路部分(500)和一下传部分(600)；所述下拉维持电路部分(500)采用高低电位反推设计，并设置依次降低的第一、第二、第三直流恒压低电位(VSS1、VSS2、VSS3)、及一直流恒压高电位(H)，能够解决低温多晶硅半导体薄膜晶体管的自身特性对GOA驱动电路的影响，尤其是漏电问题带来的GOA功能性不良；同时解决了目前基于低温多晶硅半导体薄膜晶体管的GOA电路中下拉维持电路部分在非作用期间第二节点电位不能处于较高的电位的问题，有效维持第一节点(Q(N))和输出端(G(N))的低电位。

申请人：深圳市华星光电技术有限公司

地址：518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号

国籍：CN

代理机构：深圳市德力知识产权代理事务所

代理人：林才桂

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