半导体激光器

一、 分类

1、 按结构分：法布里-珀罗（F-P）型LD，分布反馈（DFB）和分布Bragg反射器（DBR）

LD和垂直腔面发射激光器（VCSEL） 2、 按波长分：长波长（1310nm 1550nm），短波长（850nm）

二、激光器组件

1、结构组成： a：紧密结构（如金属外壳）

b：激光器二极管

c：监视光电二极管 无致冷 d：尾纤和连接器 e：光隔离器 f: TEC

g: 热敏电阻

2、组件参数：

a： 正向电压（VF）：当正向驱动电流为确定值（如F-P型LD，IF=Ith+20mA）时对

应的激光器二极管的电压压值。

b：电压-电流（V-I）特性

c：P-I曲线

4、阀值电流Ith：激光二极管开始的振荡的正向电流

5、光输出功率（PO或PF）：

在阀值电流以上所加正向电流达到规定的调制电流（Imod）时，从激光二极管光窗输出的光功率定义为PO，对带有尾纤的激光二极管来说，把从光纤末端发射出的光功率定义为PF。（正向电流一般取Ith+20mA）

6、光谱特性： 1、 发射光谱：

2、中心波长：

在光发射光谱中，连接50%最大幅度值线段的中点所对应的波和长称为中心波长（c）：

1c=E0imEii

in

3、光谱宽度（△λ）

对于F-P LD来说，最大均方根（RMS）宽度定义光谱宽度 对于DFB-LD来说：采用最大-20dB宽度来定义。 4、边模抑制比（SSR）

最高光谱峰强度与次高光谱峰强度之比。 5、监视电流：

是指在规定的LD输出功率时，在给定的光电二极管反向电压时的光电二极管的光电流。

四、光电探测器和光接收组件： 1、 示意图：

光纤 TIA 数据 InGaAs PIN-PD

2、参数：

a、光响应度（R）：R=

IpPi（单位为A/W或mA/mW）

b、暗电流I（dm）： 暗电流是指在规定反向电压下，无入射光情况下器件内部产生的反向电流。

五．收发一体模块：

a:原理方框图：

接收部分

发射部分

b:分类：

速率分：51Mb/s, 155Mb/s 622Mb/s 1.25G b/s 2.5Gb/s 用途： PDH, SDH, ATM, Ethernet等