专利名称：具有高频电介质和热机械缓冲的芯片载体层压体专利类型：发明专利
发明人：W.哈特纳,G.豪布纳,M.R.尼斯纳,S.帕尔克申请号：CN201610036191.6申请日：20160120公开号：CN105810657A公开日：20160727
摘要：本发明涉及具有高频电介质和热机械缓冲的芯片载体层压体。一种用于承载经包封的电子芯片（102）的芯片载体（100），其中芯片载体（100）包括形成为多个电气绝缘结构（104）和多个电气传导结构（106）的叠层的层压结构，以及被配置用于电气和机械耦合经包封的电子芯片（102）的层压结构的暴露表面处的芯片耦合区域（108），其中一个电气绝缘结构（104）被配置为由与高频信号的低损传输兼容的材料制成的高频电介质（110），并且其中另一个电气绝缘结构（104）和一个电气传导结构（106）中的至少一个被配置为用于缓冲热学诱导的机械负载的热机械缓冲（112）。
申请人：英飞凌科技股份有限公司
地址：德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
国籍：DE
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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