专利名称：衬底处理方法及衬底处理装置专利类型：发明专利发明人：根来世,小林健司申请号：CN201880090846.5申请日：20181122公开号：CN111819668A公开日：20201023
摘要：通过将TMAH、过氧化氢与水混合，从而制备包含TMAH、过氧化氢和水、但不含氟化氢化合物的碱性蚀刻液。将制备的蚀刻液供给至露出了多晶硅膜和氧化硅膜的衬底，在抑制氧化硅膜的蚀刻的同时对多晶硅膜进行蚀刻。
申请人：株式会社斯库林集团
地址：日本京都府
国籍：JP
代理机构：北京市金杜律师事务所
代理人：唐峥
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