一、反应时间T(nS)： 分为：T(nS) T d(on)(nS) T r (nS)146 18 59
二、驱动功率P(mW)： P=驱动功率P （mW ） 栅源电荷Q （nC ） 14.529
三、热效应E(J)： 相关：
通态电阻R DS （ON ） 通态漏极电流I D （ON ） MOSFET 选用原则 开启时间T on
导通延迟时间T d(on)+上升时间T r WF=0.5CU 2F=0.5*U 2 *F*Q/U=0.5*F*QU 原则
关断时间T off
判断延迟时间T d(off)+下降时间T f T d(off)(nS)T f(nS) 1158
栅源电压U（V）驱动信号频率F（KHz） 10100
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