您的当前位置：首页一种金属纳米簇掺杂的忆阻器及其制备方法

一种金属纳米簇掺杂的忆阻器及其制备方法

来源：抵帆知识网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201810906794.6 （22）申请日 2018.08.10 （71）申请人厦门大学

地址 361005 福建省厦门市思明区思明南路422号厦门大学

（10）申请公布号 CN109326711A

（43）申请公布日 2019.02.12

（72）发明人刘向阳;史晨阳

（74）专利代理机构厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人杨玉芳

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

一种金属纳米簇掺杂的忆阻器及其制备方法

（57）摘要

本发明提供一种金属纳米簇掺杂的忆阻器

及其制备方法，涉及微电子技术领域。此金属纳米簇掺杂的忆阻器包括上电极、阻变层和下电极，所述阻变层位于所述上电极和所述下电极之间，所述阻变层为掺杂有金属纳米簇的阻变材料薄膜。其制备方法包括：S1，清洗所述下电极；S2，采用提拉镀膜方式在清洗后的所述下电极表面形成所述阻变层；S3，采用磁控溅射方法在所述阻变层上生长所述上电极。通过将金属纳米簇

掺杂到阻变材料薄膜材料中制备得到相应的金属纳米簇复合薄膜，在电场作用下，金属纳米簇能起到加强局域电场的作用，提高电阻转变特性。且阻变存储性能稳定，开关速度较快，为忆阻器设计及进一步发展奠定了基础。

法律状态

法律状态公告日

2019-02-12 2019-02-12 2019-09-24

法律状态信息

公开公开

实质审查的生效

法律状态

公开公开

实质审查的生效

权利要求说明书

一种金属纳米簇掺杂的忆阻器及其制备方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

一种金属纳米簇掺杂的忆阻器及其制备方法的说明书内容是....请下载后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文