一种氮掺杂碳负载四氧化三钴电极材料的制备方法[发明专利]

来源：抵帆知识网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种氮掺杂碳负载四氧化三钴电极材料的制备方法专利类型：发明专利

发明人：蒙延双,肖明军,朱福良,王功瑞,段超宇,杜梦奇,王琛,

王磊,夏军

申请号：CN201710440352.2申请日：20170613公开号：CN107017404A公开日：20170804

摘要：一种氮掺杂碳负载四氧化三钴电极材料的制备方法，首先将钴源与离子液体均匀混合；然后放入管式炉中，在氩气气氛下升温至100℃‑400℃保温10‑60min，再继续升温至600℃‑1600℃保温60‑360min，冷却至室温；再在空气气氛下升温至200℃‑700℃，保温20‑120min，冷却后得到氮掺杂碳负载四氧化三钴电极材料。本发明制备过程简单，四氧化三钴颗粒小、分散性好，碳基体中的氮含量及四氧化三钴负载量可调。由于氮掺杂碳基体具有良好的导电性，并能有效防止四氧化三钴颗粒在充放电过程中的体积效应，因此制备的氮掺杂碳负载四氧化三钴材料作为锂离子电池负极材料时具有高的储锂容量和良好的循环性能。

申请人：兰州理工大学

地址：730050 甘肃省兰州市兰工坪路287号

国籍：CN

代理机构：兰州振华专利代理有限责任公司

代理人：董斌

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