专利名称：一种分离栅MOSFET器件专利类型：实用新型专利发明人：原小明
申请号：CN201920291615.2申请日：20190308公开号：CN209515675U公开日：20191018
摘要：本实用新型公开了一种分离栅MOSFET器件及其制造方法。本实用新型通过在第一层多晶硅中设置两个竖向的第二层多晶硅，达到了减少光刻次数，降低了工艺制造成本和复杂度，提高了耐压能力和绝缘层质量，提高了工艺可靠性和一致性，并使得本专利工艺简单,工艺窗口大，适合大规模量产制造。
申请人：南京江智科技有限公司
地址：210000 江苏省南京市江北新区惠达路6号北斗大厦9楼902室
国籍：CN
代理机构：江苏楼沈律师事务所
代理人：吕欣
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