具有支持衬底的氮化物半导体器件及其制造方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：具有支持衬底的氮化物半导体器件及其制造方法专利类型：发明专利

发明人：佐野雅彦,野中满宏,镰田和美,山本正司申请号：CN038018.5申请日：20030127公开号：CN1613156A公开日：20050504

摘要：本发明涉及一种氮化物半导体器件及其制造方法。具有在异质衬底上生长氮化物半导体层的工序、此后把支持衬底粘合到氮化物半导体层上的工序以及除去异质衬底的工序。上述粘合工序通过合金共晶而形成导电层。上述异质衬底的除去工序通过激光照射、研磨、化学抛光来进行。在上述异质衬底的除去工序后，具有通过对氮化物半导体的露出表面进行蚀刻、把氮化物半导体分离成芯片状的工序。在上述异质衬底的除去工序后，具有在氮化物半导体的露出表面上形成凹凸的工序。

申请人：日亚化学工业株式会社

地址：日本德岛县阿南市

国籍：JP

代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司

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