一种制造复合背势垒氮化镓异质结场效应管的方法[发明专利]

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专利名称：一种制造复合背势垒氮化镓异质结场效应管的方法专利类型：发明专利发明人：薛舫时

申请号：CN201210178258.1申请日：20120601公开号：CN102737991A公开日：20121017

摘要：本发明是一种复合背势垒氮化镓异质结场效应管的制造方法，在衬底上依次生长GaN缓冲层，后掺杂GaN势垒层、AlGaN背势垒层、前掺杂GaN背势垒层、AlGaN/GaN锯齿背势垒层、GaN沟道层和前势垒层，构成复合背势垒异质结构场效应管。优点：消除了AlGaN缓冲层带来的热导率下降的弊病。既减轻了掺杂背势垒中的掺杂量，又抬高背势垒，强化沟道阱的量子，有效阻止电子溢出沟道阱进入缓冲层产生电流崩塌。

申请人：中国电子科技集团公司第五十五研究所

地址：210016 江苏省南京市中山东路524号

国籍：CN

代理机构：南京君陶专利商标代理有限公司

代理人：沈根水

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