专利名称:一种外延结构的GaN基材料发光二极管及其制备方
法
专利类型:发明专利发明人:王立彬,李志翔申请号:CN201010622204.0申请日:20101227公开号:CN1024288A公开日:20120704
摘要:一种外延结构的GaN基材料发光二极管及其制备方法,涉及光电技术领域。本发明发光二极管包括蓝宝石衬底以及依次置于蓝宝石衬底上方的N-GaN层、多量子阱层、P-GaN层和ITO薄膜,ITO薄膜和N-GaN层上分别置有金属电极Cr/Pt/Au层。其结构特点是,所述蓝宝石衬底的上表面边沿露出一圈衬底平面。同现有技术相比,本发明结合外延技术,在外延过程中,使切割道部分不再外延出GaN材料,从而使蓝宝石衬底暴露出来,充分利用图形化衬底的图形,同时利用衬底与封装介质的折射率差,提高出光效率。
申请人:同方光电科技有限公司
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国籍:CN
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