您好,欢迎来到抵帆知识网。
搜索
您的当前位置:首页一种外延结构的GaN基材料发光二极管及其制备方法[发明专利]

一种外延结构的GaN基材料发光二极管及其制备方法[发明专利]

来源:抵帆知识网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:一种外延结构的GaN基材料发光二极管及其制备方

专利类型:发明专利发明人:王立彬,李志翔申请号:CN201010622204.0申请日:20101227公开号:CN1024288A公开日:20120704

摘要:一种外延结构的GaN基材料发光二极管及其制备方法,涉及光电技术领域。本发明发光二极管包括蓝宝石衬底以及依次置于蓝宝石衬底上方的N-GaN层、多量子阱层、P-GaN层和ITO薄膜,ITO薄膜和N-GaN层上分别置有金属电极Cr/Pt/Au层。其结构特点是,所述蓝宝石衬底的上表面边沿露出一圈衬底平面。同现有技术相比,本发明结合外延技术,在外延过程中,使切割道部分不再外延出GaN材料,从而使蓝宝石衬底暴露出来,充分利用图形化衬底的图形,同时利用衬底与封装介质的折射率差,提高出光效率。

申请人:同方光电科技有限公司

地址:100083 北京市海淀区同方科技广场A座2901

国籍:CN

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容

Copyright © 2019- dfix.cn 版权所有 湘ICP备2024080961号-1

违法及侵权请联系:TEL:199 1889 7713 E-MAIL:2724546146@qq.com

本站由北京市万商天勤律师事务所王兴未律师提供法律服务