一种外延结构的GaN基材料发光二极管及其制备方法[发明专利]

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专利名称：一种外延结构的GaN基材料发光二极管及其制备方

法

专利类型：发明专利发明人：王立彬,李志翔申请号：CN201010622204.0申请日：20101227公开号：CN1024288A公开日：20120704

摘要：一种外延结构的GaN基材料发光二极管及其制备方法，涉及光电技术领域。本发明发光二极管包括蓝宝石衬底以及依次置于蓝宝石衬底上方的N-GaN层、多量子阱层、P-GaN层和ITO薄膜，ITO薄膜和N-GaN层上分别置有金属电极Cr/Pt/Au层。其结构特点是，所述蓝宝石衬底的上表面边沿露出一圈衬底平面。同现有技术相比，本发明结合外延技术，在外延过程中，使切割道部分不再外延出GaN材料，从而使蓝宝石衬底暴露出来，充分利用图形化衬底的图形，同时利用衬底与封装介质的折射率差，提高出光效率。

申请人：同方光电科技有限公司

地址：100083 北京市海淀区同方科技广场A座2901

国籍：CN

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