照射系统、光刻设备和方法[发明专利]

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专利名称：照射系统、光刻设备和方法专利类型：发明专利发明人：A·S·特奇科夫申请号：CN201210020846.2申请日：20120130公开号：CN102629079A公开日：20120808

摘要：本发明公开了一种照射系统、光刻设备和器件制造方法。所述照射系统包括配置成朝向光瞳面引导辐射的可控反射镜阵列和配置成朝向所述可控反射镜阵列引导辐射子束的透镜阵列，其中所述透镜阵列的第一透镜和所述可控反射镜阵列中的可控反射镜形成了具有第一光焦度的第一光通道，所述透镜阵列中的第二透镜和所述可控反射镜阵列中的可控反射镜形成具有第二光焦度的第二光通道，使得由所述第一光通道形成的辐射子束在所述光瞳面处具有第一横截面面积和形状，由所述第二光通道形成的辐射子束在所述光瞳面处具有第二不同的横截面面积和/或形状。

申请人：ASML荷兰有限公司

地址：荷兰维德霍温

国籍：NL

代理机构：中科专利商标代理有限责任公司

代理人：吴敬莲

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