专利名称：一种降低SiGe虚拟衬底表面粗糙度的方法专利类型：发明专利发明人：郭磊,王敬,许军申请号：CN200910088227.5申请日：20090713公开号：CN101609797A公开日：20091223
摘要：本发明公开了属于半导体技术领域的一种降低SiGe虚拟衬底表面粗糙度的方法。采用减压化学气相淀积工艺，以SiH为气源在Si圆片上外延一层Si缓冲层后，以SiH和GeH作为反应气源，在Si圆片上外延SiGe层，其特征在于，外延SiGe层时外延温度为400－650℃。本发明通过降低外延温度可以非常有效的降低外延出的SiGe虚拟衬底的表面粗糙度，采用本发明的方法可以制备出表面非常平坦的SiGe层，适合于作为虚拟衬底。
申请人：清华大学
地址：100084 北京市100084-82信箱
国籍：CN
代理机构：北京众合诚成知识产权代理有限公司
代理人：童晓琳
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容
Copyright © 2019- dfix.cn 版权所有 湘ICP备2024080961号-1
违法及侵权请联系：TEL:199 1889 7713 E-MAIL:2724546146@qq.com
本站由北京市万商天勤律师事务所王兴未律师提供法律服务