专利名称：使用氩稀释的高压F等离子体的高速蚀刻专利类型：发明专利
发明人：G·麦克法兰,R·霍格尔,C·贝利申请号：CN200510079222.8申请日：20050512公开号：CN1783423A公开日：20060607
摘要：本发明提供F在沉积室清洗过程中的应用。如果在高压条件下进行操作，这种清洗特别地有效。此外，本发明提供高压F在以高蚀刻速度进行基片蚀刻或者晶片薄化过程中的应用。
申请人：波克股份有限公司
地址：美国新泽西州
国籍：US
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：沙永生
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