您的当前位置：首页带有MOSFET和低正向电压的等效二极管增强型JFET的半导体器件及其制

带有MOSFET和低正向电压的等效二极管增强型JFET的半导体器件及其制

来源：抵帆知识网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：带有MOSFET和低正向电压的等效二极管增强型

JFET的半导体器件及其制备方法

专利类型：发明专利发明人：雷燮光,王薇

申请号：CN201110306022.7申请日：20110926公开号：CN102437187A公开日：20120502

摘要：提出了一种带有集成的MOSFET和等效增强型JFET的半导体芯片。MOSFET-JFET芯片包括类型-1导电类型的公共半导体衬底区(公共半导体衬底区)。MOSFET器件和等效增强型JFET(等效二极管增强型JFET)器件位于公共半导体衬底区上方。等效二极管增强型JFET器件具有公共半导体衬底区，作为其等效二极管增强型JFET漏极。至少两个类型-2导电类型的等效二极管增强型JFET栅极区位于等效二极管增强型JFET漏极上方，并且在水平方向上相互分离，带有等效二极管增强型JFET栅极间距。至少一个类型-1导电类型的等效二极管增强型JFET源极位于公共半导体衬底区上方，以及等效二极管增强型JFET栅极之间。顶部等效二极管增强型JFET电极位于等效二极管增强型JFET栅极区和等效二极管增强型JFET源极区上方，并与它们相接触。如果配置得合适，等效二极管增强型JFET会同时具有大幅低于PN结二极管的正向电压Vf，以及可以与PN结二极管相比拟的反向漏电流。

申请人：万国半导体股份有限公司

地址：美国加利福尼亚州桑尼维尔奥克米德大道475号

国籍：US

代理机构：上海新天专利代理有限公司

代理人：王敏杰

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文