一种沟槽MOSFET器件[实用新型专利]

来源：抵帆知识网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种沟槽MOSFET器件专利类型：实用新型专利发明人：白玉明,刘锋,张海涛申请号：CN201520050670.4申请日：20150123公开号：CN204361105U公开日：20150527

摘要：本实用新型提供一种沟槽MOSFET器件，所述器件包括N型重掺杂衬底及形成于所述N型重掺杂衬底上的N型轻掺杂外延层；所述N型轻掺杂外延层中形成有若干元胞区沟槽结构及若干终端区沟槽结构，其中：所述终端区沟槽结构的深度大于所述元胞区沟槽结构的深度。由于器件工作时反型层形成于沟槽栅表面，较深的终端区沟槽结构可以延长反型层的长度，使得终端区沟槽结构周围的耗尽程度更高，从而有助于提升中压MOSFET终端区的耐压能力。

申请人：无锡同方微电子有限公司

地址：214000 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园G8二楼

国籍：CN

代理机构：上海光华专利事务所

代理人：余明伟

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文