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基于MoS和Ag修饰硅纳米线阵列光电化学析氢电极及其应用[发明专利]

来源：抵帆知识网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：基于MoS和Ag修饰硅纳米线阵列光电化学析氢电

极及其应用

专利类型：发明专利

发明人：乔雷,李艳虹,周明,廖明佳,肖鹏,张云怀,张胜涛,陈刚

才,张晟,周志恩

申请号：CN201510075781.5申请日：20150212公开号：CN104630821A公开日：20150520

摘要：本发明公开了基于MoS和Ag修饰硅纳米线阵列光电化学析氢电极及三电极体系和应用，其中MoS和Ag修饰硅纳米线阵列光电化学析氢电极包括硅纳米线阵列、具有电荷转移功能的Ag纳米颗粒层和MoS纳米颗粒层，硅纳米线阵列采用两步金属辅助催化无电刻蚀法制备，MoS纳米颗粒层采用热分解技术复合于Ag纳米颗粒层修饰的硅纳米线阵列表面，通过在MoS修饰硅纳米线阵列中增加Ag作为电荷转移介质，提高了固固界面的电荷转移，为MoS上的氢还原反应提供更多的光生电子，使得光生电子参与氢还原反应的机率大大提高，提高了能量转换效率，将其构建三电极体系后能够用于工业分解水获得氢能。

申请人：重庆市环境科学研究院

地址：401147 重庆市渝北区冉家坝旗山路252号

国籍：CN

代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司

代理人：赵荣之

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