一种高取向性硒化锑薄膜及其制备方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种高取向性硒化锑薄膜及其制备方法专利类型：发明专利发明人：唐江,冷美英,何一粟申请号：CN201610505363.X申请日：20160701公开号：CN106129143A公开日：20161116

摘要：本发明属于光电材料及薄膜太阳能电池制备领域，公开一种高取向性硒化锑薄膜及其制备方法，尤其是取向良好的硒化锑薄膜，所述高取向性硒化锑薄膜为一维链状材料，良好取向即为沿<002>方向生长的硒化锑链组成的薄膜。所述制备方法，具体为两步，包括：采用热蒸发法或其他方法制备锑金属薄膜，然后进行硒（硫）化处理的方法。本发明中的方法，可获得良好取向的硒化锑薄膜，有希望得到更高效的硒化锑薄膜太阳能电池，且简单易行，成本低廉。

申请人：武汉光电工业技术研究院有限公司

地址：430075 湖北省武汉市东湖高新区高新大道未来科技城海外人才大楼

国籍：CN

代理机构：武汉帅丞知识产权代理有限公司

代理人：朱必武

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