单向低电容TVS器件[实用新型专利]

来源：抵帆知识网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：单向低电容TVS器件专利类型：实用新型专利发明人：张常军,徐敏杰,周琼琼申请号：CN2017217988.1申请日：20171229公开号：CN2081590U公开日：20181204

摘要：公开了一种单向低电容TVS器件，包括：第一导电类型衬底；位于其上的第一导电类型外延层；位于其中的第一导电类型埋层、第二导电类型埋层；位于第一导电类型外延层上的第二导电类型外延层、贯穿第二导电类型外延层得多个隔离结构形成第一区域及第二区域，位于第二区域中的第二导电类型注入区；位于第一区域中第一导电类型注入区。进一步地，在单向低电容TVS器件中形成的第一普通二极管与稳压二极管纵向串联，降低单向低电容TVS器件的体积。相较于现有技术的单向低电容TVS器件能够较大地减小电容，使电源Vcc对地GND的电容可以达到小于0.6pF，正、反向ESD能力都可以达到大于15kV。

申请人：杭州士兰集成电路有限公司

地址：310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区10号大街(东)308号

国籍：CN

代理机构：北京成创同维知识产权代理有限公司

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