专利名称：无焊内建层封装的翘曲减小专利类型：发明专利
发明人：P·马拉特卡尔,D·W·德莱尼申请号：CN201280032555.3申请日：20120629公开号：CN103635996A公开日：20140312
摘要：本公开内容涉及制造微电子封装及其制造方法的领域，其中，可以在无焊内建层无芯（BBUL-C）微电子封装内形成微电子器件，并且其中，可以在微电子器件的背部表面上设置翘曲控制结构。翘曲控制结构可以是层状结构，该层状结构包括：至少一个高热膨胀系数材料（包含但不限于填充环氧树脂材料）的层和至少一个高弹性模量材料的层（例如，金属层）。
申请人：英特尔公司
地址：美国加利福尼亚
国籍：US
代理机构：永新专利商标代理有限公司
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