一种硅光电倍增管定位测试平台基测试方法[发明专利]

来源：抵帆知识网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种硅光电倍增管定位测试平台基测试方法专利类型：发明专利发明人：董宽

申请号：CN202011351944.5申请日：20201127公开号：CN112557859A公开日：20210326

摘要：本发明公开了一种硅光电倍增管定位测试平台基测试方法，包括以下步骤：A：将硅光电倍增管放置于测试台上电路板上，电路板上设有用于决定硅光电倍增管位置的定位块，硅光电倍增管的导电端与电路板上的导电片紧密接触；B：通过高压电缆将高电压输入到硅光电倍增管电压加载电极，并且通过同轴电缆与硅光电倍增管的阳极引出端连接。本发明通过具备操作简单，利于对输入电压进行控制，利于采集光电倍增管输出的不同强度的脉冲信号，测试精准度高的优点，解决了现有的硅光电倍增管测试方法操作繁琐，不利于对输入电压进行控制，不利于采集光电倍增管输出的不同强度的脉冲信号，使得测试精准度低，不利于测试数据分析的问题。

申请人：西安工业大学

地址：710021 陕西省西安市未央区学府中路2号

国籍：CN

代理机构：北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：汤东凤

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