电子电路名词通俗解释 电阻 是一个限流元件，将电阻接在电路中后，可限制通过它所连支路的电流大小。 电容 一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上；造成电荷的累积储存。两片相距很近的金属中间被某物质（固体、气体或液体）所隔开，就构成了电容器。两片金属称为极板，中间的物质叫做介质。 电感 当线圈通过电流后，在线圈中形成磁场感应，感应磁场又会产生感应电流来抵制通过线圈中的电流。这种电流与线圈的相互作用关系称为电的感抗，也就是电感， ----------磁珠，磁环---------- 电子电路中常用的抗干扰元件，对于高频噪声有很好的抑制作用，一般使用铁氧体材料（Mn－Zn）制成。磁环在不同的频率下有不同的阻抗特性，一般在低频时阻抗很小，当信号频率升高磁环表现的阻抗急剧升高。 大家都知道，信号频率越高，越容易辐射出去（要买优质的电脑机箱也是要减小电磁泄漏），而一般的信号线都是没有屏蔽层的，那么这些信号线就成了很 好的天线，接收周围环境中各种杂乱的高频信号，而这些信号叠加在本来传输的信号上，甚至会改变原来传输的有用信号。那么在磁环作用下，使正常有用的信号很好的通过，又能很好的抑制高频干扰信号的通过，而且成本低廉。所以大家在显示器信号线，USB连接线，甚至高档键盘、鼠标上看的塑料疙瘩型的一体式磁环就不足为奇了。 在电路功能上，磁珠和电感是原理相同的，只是频率特性不同罢了，等效于电阻和电感串联，比普通的电感有更好的高频滤波特性。 ----------射频（RF)---------- 表示可以辐射到空间的电磁频率，频率范围从300KHz～300GHz之间；射频电流是一种每秒变化大于10000次的称为高频电流的简称。 变压器 是应用法拉第电磁感应定律而升高或降低电压的装置。 变压器通常包含两组或以上的线圈。主要用途是升降交流电的电压、改变阻抗及分隔电路。 ----------分隔电路---------- PCB 布局之前应先注意将组件放置(placement)在适当的位置，一方面需考虑电路板外部接线端子的位置，另一方面也需考虑不同性质的电路应予以适当的区隔。低阶模拟、高速数字以及噪声电路(继电器、高电流开关等等) 应加以分隔以降低子系统间的耦合。当放置组件时，应同时考虑子系统电路间的内部电路绕线，特别是时序及震荡电路。为了去除EMI的潜在问题，应该系统化的检查组件放置与线路布局，返覆检视及修正布线一直到确定所有的 EMI风险降低到最低为止，简而言之，事先的防范是将低EMI干扰问题的首要原则。 ----------阻抗---------- 就是电阻、电容抗及电感抗在向量上的和。在交流电的领域中则除了电阻会阻碍电流以外，电容及电感也会阻碍电流的流动，这种作用就称之为电抗，意即抵抗电流的作用。电容及电感的电抗分别称作电容抗及电感抗，简称容抗及感抗。它们的计量单位与电阻一样是欧姆，而其值的大小则和交流电的频率有关系，频率愈高则容抗愈小感抗愈大，频率愈低则容抗愈大而感抗愈小。此外电容抗和电感抗还有相位角度的问题，具有向量上的关系式，因此才会说：阻抗是电阻与电抗在向量上的和。 ----------阻抗匹配---------- 信号传输过程中负载阻抗和信源内阻抗之间的特定配合关系。一件器材的输出阻抗和所连接的负载阻抗之间所应满足的某种关系，以免接上负载后对器材本身的工作状态产生明显的影响。 阻抗匹配有两种，一种是透过改变阻抗力（用于集中参数电路），另一种则是调整传输线的波长（用于传输线）。 要匹配一组线路，首先把负载点的阻抗值，除以传输线的特性阻抗值来归一化，然后把数值划在史密斯图上。 ----------改变阻抗---------- 把电容或电感与负载串联起来，即可增加或减少负载的阻抗值，在图表上的点会沿着代表实数电阻的圆圈走动。如果把电容或电感接地，首先图表上的点会以图中心旋转180度，然后才沿电阻圈走动，再沿中心旋转180度。重复以上方法直至电阻值变成1，即可直接把阻抗力变为零完成匹配。 ----------调整传输线---------- 由负载点至来源点加长传输线，在图表上的圆点会沿着图中心以逆时针方向走动，直至走到电阻值为1的圆圈上，即可加电容或电感把阻抗力调整为零，完成匹配。 晶体二极管 只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个零件号接 合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于PN 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 晶体三极管 一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β，三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。 三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫建立偏置 ，否则会放大失真。 在三极管的集电极与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成电压放大：当基极电压UB升高时，IB变大，IC也变大，IC 在集电极电阻RC的压降也越大，所以三极管集电极电压UC会降低， 且UB越高，UC就越低，ΔUC=ΔUB。 压敏电阻 是一种限压型保护器件。利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。 MOS场效应晶体管 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V）就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。 整流桥 其内部主要是由四个二极管组成的桥路来实现把输入的交流电压转化为输出的直流电压。 ----------整流桥堆---------- 就是由两个或四个二极管组成的整流器件。桥堆有半桥和全桥两种，半桥又有正半桥和负半桥两种，堆桥的文字符号为UR。 全桥由四只二极管组成，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”。 半桥由两只二极管组成，有三个引出脚。正半桥两边的管脚是两个二极管的正极，即交流输入端；中间管脚是两个二极管的负极，即直流输出端的“正极”。负半桥两边的管脚上两个二极管的负极，即交流输入端；中间管脚是两个二极管的正极，即直流输出端的“负极”。一个正半桥和一个负半桥就可以组成一个全桥。 集成电路IC 是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。 电晶体 一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此电晶体可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于电晶体是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。