专利名称：一种LED芯片及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：黄宁湘,许亚兵,罗正加申请号：CN201110049639.5申请日：20110301公开号：CN102157639A公开日：20110817
摘要：本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，根据本发明的LED芯片，包括：衬底(1)；N型氮化镓层(2)，形成在衬底(1)的上方；有源层(3)，形成在N型氮化镓层(2)的上方；P型氮化镓层(4)，形成在有源层(3)的上方；以及透明电极(5)，形成在P型氮化镓层(4)的上方，其中，衬底(1)的下表面镀有反射层(8)。根据本发明的LED芯片，其背面光的反射率高，且其出光效率也得到了提高。
申请人：湘能华磊光电股份有限公司
地址：423038 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园
国籍：CN
代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人：吴贵明
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